環境報告書2017

事業のタイトル　：環境に配慮した電子材料・デバイス・システムの研究開発

 

事業概要

　電子情報工学科/電子情報工学コースでは、環境に優しい炭素系薄膜、有毒物質を含まない半導体材料・デバイス、消費電力の少ないVLSI（大規模集積回路）等の研究開発を進めています。平成２８年度も研究開発の成果を論文誌や学会で報告しました。

 

研究成果報告論文の一例（平成28年度）

○ 環境に優しい炭素系薄膜

Structural and electrical properties and current-voltage characteristics of nitrogen-doped diamond-like carbon films on Si substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition, M. Tsuchiya, K. Murakami, K. Magara, K. Nakamura, H. Ohashi, K. Tokuda, T. Takami, H. Ogasawara, Y. Enta, Y. Suzuki, S. Ando, H. Nakazawa, Japanese Journal of Applied Physics 55, pp.065502-1-065502-6, 2016.

Tribological properties and thermal stability of hydrogenated, silicon/nitrogen-coincorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition, H. Nakazawa, S. Okuno, K. Magara, K. Nakamura, S. Miura, Y. Enta, Japanese Journal of Applied Physics 55, pp.125501-1-125501-9, 2016.

Formation of graphene/SiC/AlN multilayers synthesized by pulsed laser deposition on Si(110) substrates, S. Narita, K. Meguro, T. Takami, Y. Enta, H. Nakazawa, Journal of Crystal Growth 460, pp.27-36, 2017.

Characterization of doped diamond-like carbon films prepared by pulsed laser deposition, H. Nakazawa, Energy Materials Nanotechnology, Cancun Meeting 2016, 5-9 June 2016, Cancun, Mexico. (Invited)

Impacts of substrate bias and dilution gas on the properties of Si-doped diamond-like carbon films by plasma deposition using organosilane as a Si source, H. Nakazawa, S. Miura, International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016, 4-8 September 2016, Montpelier, France.

○ 消費電力の少ないVLSI（大規模集積回路）、自動車関連VLSI

Masashi Imai, Tomohiro Yoneda, “Can Asynchronous Circuits Tolerate Hardware Trojan Threat?,” Proc. Async2016 Fresh ideas track paper, May., 2016

今井雅, 米田友洋, “多数決イネーブルラッチを用いた非同期式回路の耐故障性に関する一検討,” 電子情報通信学会 技術研究報告 VLD2016-39, pp.179-184, Jun., 2016

豊嶋太樹, 黒川敦, 今井雅, “ランダム遅延素子を用いた耐タンパ非同期式パイプライン回路,” 電子情報通信学会 技術研究報告 VLD2016-40, pp.185-190, Jun., 2016

寺山恭平, 今井雅, “ラッチベース非同期式回路のスキャンテスト,” 電子情報通信学会論文誌 A Vol.J99-A, No.8, pp.298-308, 2016

Takeru Nanao, Atsushi Kurokawa, Masashi Imai, “A Study on Byzantine Fault Tolerant Systems using SCore Cluster System Software,” 平成28年度電気関係学会東北支部連合大会, IEEE Student Session, 2A07, Aug., 2016

Masashi Imai, Thiem Van Chu, Kenji Kise, Tomohiro Yoneda, “The Synchronous vs. Asynchronous NoC Routers: An Apple-to-Apple Comparison between Synchronous and Transition Signaling Asynchronous Designs,” Proc. NOCS2016, pp.64-69, Sep., 2016

Masashi Imai, Tomohiro Yoneda, “Hardware Trojan Insertion Difficulties into Synchronous and Asynchronous Circuits,” Proc. SASIMI2016, pp.213-218, Oct., 2016

Daiki Toyoshima, Tatsuya Ishikawa, Atsushi Kurokawa, Masashi Imai, “Random Delay Elements for Tamper Resistant Asynchronous Circuits based on 2-phase Handshaking Protocol,” Proc. SASIMI2016, pp.113-118, Oct., 2016

田近龍平, 金本俊幾, 今井雅, “低電圧環境における高性能非同期式回路の実現,” 情報処理学会東北支部研究報告 Vol.2016-6 No.B1-4, Feb., 2017

石川達也, 金本俊幾, 今井雅, “ハンドシェイク回路多重化による低ノイズ非同期式回路の実現,” 情報処理学会東北支部研究報告 Vol.2016-6 No.B1-3, Feb., 2017

稲葉光太郎, 金本俊幾, 黒川敦, 今井雅, “非同期式NoCルータへのハードウェアトロイ挿入に関する研究,” 電子情報通信学会総合大会 A-7-1, pp.82, Mar., 2017

瀧健太郎, 今井雅, 金本俊幾, “極低電圧回路における消費エネルギー極小化に関する一考察,” 情報処理学会東北支部研究報告, Vol.2016-6, No.B1-1, Feb., 2017

○ 将来の高性能・低消費電力半導体デバイスに向けた基礎研究

論文：

Hiroshi Okamoto; “Self-Organized Nanostructure Formation of III-V and IV Semiconductors with Bismuth”, Journal of Advances in Nanomaterials, Vol. 1, No. 2, pp. 82-94, December 2016.

国際会議報告：

Yukio Fukuda, Daichi Yamada, Yohei Otani, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Tetsuya Sato, Hiroshi Okamoto, “Effects of electrode metal and thermal treatment on the electrical properties of Al2O3/GeO2 gate stack grown on Ge substrate by radical-enhanced atomic layer deposition”, 16th International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2016), P-02-060, (Dublin, Ireland, July 26, 2016).

(Invited) H. Okamoto, “Self-organized nanostructure formation of III-V and grope IV semiconductors by using bismuth” Collaborative Conference on 3D and Materials Research (CC3DMR), p. 311 (Incheon/Seoul, Korea, June 23, 2016).

国内学会発表：

寺島勝哉、野々田亮平、正直花奈子、谷川智之、松岡隆志、鈴木秀明、岡本浩；「N極性n型GaN上Niショットキーダイオード特性の蒸着法依存性」第77回応用物理学会秋季学術講演会14a-P6-6（2016 年9月，新潟市朱鷺メッセ）

山田大地, 王谷洋平,　山本千綾，山中淳二，佐藤哲也, 岡本浩，福田幸夫；「REALD形成Al2O3/GeO2/p-Ge MOSキャパシターの電気的特性に及ぼすゲート電極金属の影響」　第77回応用物理学会秋季学術講演会16a-P4-7（2016 年9月，新潟市朱鷺メッセ）

滝田健介、対馬和都、遠田義晴、俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹、池田高之、水野誠一郎、岡本浩；「真空蒸着と低温アニールによるBi媒介Geナノドット形成-１」、第64回応用物理学会春季学術講演会15p-P7-3 (2017年3月，横浜市パシフィコ横浜)

対馬和都、滝田健介、中澤日出樹、遠田義晴、俵毅彦、舘野功太、章国強、後藤秀樹、岡本浩；「真空蒸着と低温アニールによるBi媒介Geナノドット形成-2」、第64回応用物理学会春季学術講演会15p-P7-4 (2017年3月，横浜市パシフィコ横浜)

国内シンポジウム・研究会：

山田大地, 王谷洋平,　山本千綾，山中淳二，佐藤哲也, 岡本浩，福田幸夫；「ラジカル援用原子層堆積法で形成したAl2O3/GeO2/p-Ge構造上のゲート電極金属が電気的特性に及ぼす影響」　応用物理学会 北陸・信越支部 第3回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム，(2016年 7月, 石川県政記念しいのき迎賓館) (2016年 7月 15日（金））

鹿糠洋介、小野俊郎、福田幸夫、岡本浩；「MCTS評価並びに解析手法の検討とGe基板中にECRプラズマプロセスによって導入された欠陥の評価」、情報処理学会東北支部研究報告Vol.2016, No.6, A1-3（2017 年2月，弘前大学）(2017年2月20日)